砷化镓光导开关中的电子雪崩域

• 作者: 刘鸿 戴松晖 朱晓玲 杨煜婷 杨维 邬丹 郑理
• 来源期刊: 成都大学学报（自然科学版）
• 关键词: 砷化镓光导开关 碰撞电离 局域特性 电子雪崩域
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 141-143
• 页数: 3页
• 分类号: TN365|O471
• 语种: 中文

摘要

分析了高增益砷化镓光导开关中载流子的碰撞电离现象,阐明了光致电离效应和转移电子效应高场畴的意义,揭示了电子雪崩域形成的充分必要条件和载流子的局域雪崩生长特性,理论分析与实验观察一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘鸿	成都大学电子信息工程学院	22	41	3.0	5.0
2	朱晓玲	成都大学电子信息工程学院	15	14	2.0	3.0
3	郑理	成都工业学院机械工程学院	9	11	2.0	3.0
4	杨维	成都大学电子信息工程学院	22	24	3.0	4.0
5	杨煜婷	成都大学电子信息工程学院	9	16	3.0	3.0
6	戴松晖	成都大学电子信息工程学院	9	13	2.0	3.0
7	邬丹	成都大学电子信息工程学院	2	0	0.0	0.0