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摘要:
绝缘栅双极型晶体管IGBTs(insolated gate bipolar transistor)串联应用实现的关键在于动态均压。首先,从理论上分析了传统IGBT控制电路中寄生电容存在的主要原因,以及其对IGBT串联均压产生的影响;然后,提出了一种改进型控制电路,与传统的控制电路相比,改进型控制电路从主电路获取控制信号驱动IGBT所需功率,无需外接直流电源和电源隔离,减少了寄生电容的引入,能在一定程度改善IGBT的串联均压;最后,通过仿真和实验验证了该电路的有效性。在工程应用上具有一定的参考价值。
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文献信息
篇名 一种改进控制电路在IGBT串联中的应用
来源期刊 电源学报 学科 工学
关键词 串联 均压 寄生电容 门极驱动
年,卷(期) 2015,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 109-113
页数 5页 分类号 TM46
字数 1987字 语种 中文
DOI 10.13234/j.issn.2095-2805.2015.4.109
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 颜文旭 江南大学轻工过程先进控制教育部重点实验室 53 332 10.0 16.0
2 程盼飞 江南大学轻工过程先进控制教育部重点实验室 1 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
串联
均压
寄生电容
门极驱动
研究起点
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
电源学报
双月刊
2095-2805
12-1420/TM
大16开
天津市南开区黄河道467号大通大厦16层
2002
chi
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