SILAR次数对In掺杂CdS量子点敏化太阳电池的影响

• 作者: 周洪全 周烽 邹小平
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: IPCE J-V曲线 SILAR次数 铟掺杂硫化镉 量子点太阳电池 光电转换效率
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 20-22,30
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 2806字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2015.02.005

摘要

以In掺杂CdS量子点太阳能电池为例，讨论了SILAR次数对In掺杂CdS量子点敏化太阳能电池性能的影响。通过SEM、EDS、IPCE、紫外吸收光谱、J-V曲线、EIS等实验测试结果表明，当In 掺杂CdS的摩尔比固定在1：5时，随着SILAR 次数的增加，电池的短路电流密度、开路电压和光电转换效率都随着增加，当SILAR次数为6次时，In掺杂CdS的QDSCs光电转化效率达到了最大值（η=0.76%）。随着SILAR次数的继续增加，其光电转换效率将会下降。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹小平	北京信息科技大学理学院	33	66	4.0	6.0
2	周烽	北京信息科技大学理学院	2	5	1.0	2.0
3	周洪全	北京信息科技大学理学院	2	5	1.0	2.0