C波段大功率GaN HEMT内匹配器件

• 作者: 刘桢 娄辰 张志国 张蓓蓓 银军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) 内匹配 功率合成 大功率 阻抗
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 201-204
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.03.007

摘要

基于GaN微波功率器件工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗.采用二项式多节阻抗匹配变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,通过采用LC网络提升了管芯输入阻抗、输出阻抗,加入了稳定网络,实现了50 Ω阻抗匹配.采用高热导率金属陶瓷外壳,提高了器件散热能力.最终研制成功大功率GaN HEMT内匹配器件,器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为40 mm.测试结果表明,频率为4.5～4.8 GHz,脉宽300μs,占空比10％,工作电压VDSs为28 V,器件的输出功率大于120 W,功率附加效率大于50％,功率增益大于11 dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘桢	中国电子科集团公司第十三研究所	4	14	2.0	3.0
2	银军	中国电子科集团公司第十三研究所	12	27	4.0	5.0
3	张志国		7	48	4.0	6.0
4	娄辰	中国电子科集团公司第十三研究所	4	16	2.0	4.0