衬底加热和电极修饰对提高有机场效应晶体管性能的影响

• 作者: 吴峰 王倩 程晓曼 蒋晶 郑灵程
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 有机场效应晶体管 衬底加热 电极修饰 载流子注入传输
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 521-525
• 页数: 5页
• 分类号: O47
• 字数: 2169字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153605.0521

摘要

通过衬底加热和氧化钼(MoO3)修饰源漏极制备了并五苯有机场效应晶体管.研究了衬底温度和电极修饰层厚度对器件性能的影响.实验结果表明:当衬底温度为60℃、MoO3修饰层为10 nm时,器件性能获得了显著增强,场效应迁移率由原来的3.39×10-3 cm2/(V·s)提高到2.25 ×10-1 cm2/(V·s),阈值电压由12 V降低到3V.器件性能的改善归因于:衬底加热可以优化有源层形貌,改善载流子传输;而MoO3修饰层显著降低了电极与有源层之间的接触势垒,提高了载流子的注入.因此,衬底加热与电极修饰对于制备高性能有机场效应晶体管是不可或缺的优化手段.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑灵程	天津理工大学理学院	3	5	2.0	2.0
2	蒋晶	天津理工大学理学院	3	5	2.0	2.0
3	王倩	天津理工大学理学院	25	60	5.0	7.0
4	吴峰	天津理工大学理学院	7	7	2.0	2.0
5	程晓曼	天津理工大学理学院	20	106	6.0	9.0