BiFeO3多铁薄膜掺杂改性研究进展

• 作者: 任红 孙远洋 张玉 符春林 蔡苇 雷天宇
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 铁酸铋 薄膜 漏电流 铁电性 掺杂改良
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 表面强化及功能化 Surface Strengthening and Functionalization
• 页码范围: 83-90,122
• 页数: 9页
• 分类号: O484.4
• 字数: 5137字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.05.016

摘要

铁酸铋是目前发现的唯一的室温单相多铁性的材料，其禁带宽度较小，剩余极化强度较大，居里温度较高，在光电器件、自旋电子器件、铁电随机存储器、磁电存储单元等领域有着广阔的应用前景。但铁酸铋薄膜存在漏电流较大、磁电耦合性较弱等问题，制约了在实际中的应用。离子掺杂具有操作方便、易于实现薄膜的微结构及性能调控等优点，因而受到广泛关注。综述了国内外近年来关于铁酸铋薄膜电性能掺杂改性的相关工作，阐述了不同种类的掺杂，包括A位(三价镧系元素与二价碱金属元素)、B位(过渡金属元素等)以及AB位共掺杂，同时根据掺杂对铁酸铋薄膜的漏电流、铁电性以及介电性能的影响，对A位掺杂和B位掺杂中的元素进行了分类，系统总结了各类元素掺杂改性的效果及其机理。最后，提出了铁酸铋薄膜亟待解决的问题。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡苇	重庆科技学院冶金与材料工程学院	80	471	12.0	17.0
2	符春林	重庆科技学院冶金与材料工程学院	77	351	10.0	15.0
3	张玉	重庆科技学院冶金与材料工程学院	5	29	2.0	5.0
4	孙远洋	重庆科技学院冶金与材料工程学院	3	29	2.0	3.0
5	雷天宇	重庆科技学院冶金与材料工程学院	3	29	2.0	3.0
6	任红	重庆科技学院冶金与材料工程学院	3	29	2.0	3.0