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摘要:
非易失性存储器闪存(Nand Flash)因其非易失性、可擦除性等特点在高速数据存储系统中的需求越来越大,然而随着存储系统规模的增大,更加有效的坏块管理机制显得尤为重要.文章分析了坏块形成原因,同时针对基于Nand Flash的并行多路存储系统,提出了一种高效的坏块管理机制.此方法通过对每一列芯片的块统一编码存储,显著节约了坏块表存储空间,并且可以有效提高查询效率.实验证明,在减小存储成本的同时,Flash存储数据的安全性得以保证,从而有效改善了系统性能.
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文献信息
篇名 多路并行存储系统中的坏块管理策略研究
来源期刊 信息化研究 学科 工学
关键词 非易失性存储器闪存 并行存储 坏块管理策略
年,卷(期) 2015,(3) 所属期刊栏目 技术与应用
研究方向 页码范围 72-75,78
页数 5页 分类号 TP3
字数 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
非易失性存储器闪存
并行存储
坏块管理策略
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
信息化研究
双月刊
1674-4888
32-1797/TP
大16开
江苏省南京市
28-251
1975
chi
出版文献量(篇)
4494
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11
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24149
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