InSb光电导太赫兹源材料性质及辐射场研究

• 作者: 张红林 徐政珂 潘武 黄书璘
• 来源期刊: 激光技术
• 学科: 工学
• 关键词: 激光物理 太赫兹辐射 锑化铟光电导 载流子迁移率 表面电流 飞秒脉冲抽运
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: ? 激光物理与激光器件?
• 页码范围: 488-491
• 页数: 4页
• 分类号: TN365
• 字数: 2632字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7510/jgjs.issn.1001-3806.2015.04.013

摘要

为了研究锑化铟（ InSb）半导体材料光电导太赫兹辐射过程，用数值计算方法分析材料内载流子迁移率和表面电流，以及不同性质抽运激光器对太赫兹波近场强度的影响，用宏观电磁场理论和微观半导体理论分析材料表面电流，比较了InSb和GaAs材料的太赫兹波功率谱曲线。结果表明，InSb材料载流子弛豫时间越长，载流子迁移率越大；表面电流与载流子寿命和弛豫时间成正比；宏观电磁场理论更适于分析表面电流；抽运激光饱和能量密度越大，太赫兹近场辐射强度越强；抽运激光脉冲宽度越短，太赫兹近场辐射强度越强；InSb光电导辐射太赫兹波功率比GaAs高。该结果为基于InSb光电导太赫兹辐射源的研究奠定了一定的基础。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘武	重庆邮电大学光电工程学院	63	272	8.0	13.0
2	徐政珂	重庆邮电大学光电工程学院	3	5	1.0	2.0
3	张红林	重庆邮电大学光电工程学院	3	5	1.0	2.0
4	黄书璘	重庆邮电大学光电工程学院	3	3	1.0	1.0