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摘要:
对基于注入锁定的正交压控振荡器(QVCO)电路进行了研究和分析,设计了一个低相位噪声、低相位误差的QVCO电路,该电路由两个电感电容压控振荡器(LC VCO)在正交相位进行超谐波耦合,通过一个频率倍增器在交叉耦合对的共模信号点注入同步信号.通过对相位误差公式的推导,提出了降低相位误差的方法,由于该电路在共模点采用二倍频取样,抑制了尾电流的闪烁噪声,降低了相位噪声.电路基于TSMC 0.18 μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺实现,测试结果表明,当谐振频率从4.5 GHz调谐到4.9 GHz时,在电源电压为1.8V时,电路消耗功率为13 mW,1 MHz频偏处的单边带(SSB)相位噪声为-129.95 dBc/Hz,与传统的QVCO相比,噪声性能得到了改善.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 基于超谐波注入锁定的低相噪QVCO的设计
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 正交压控振荡器(QVCO) 注入锁定 倍频器 相位误差 相位噪声
年,卷(期) 2015,(3) 所属期刊栏目 半导体集成电路
研究方向 页码范围 182-187,204
页数 分类号 TN752
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.03.004
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研究主题发展历程
节点文献
正交压控振荡器(QVCO)
注入锁定
倍频器
相位误差
相位噪声
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
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