碳化硅MOSFET桥臂电路串扰抑制方法

• 作者: 朱梓悦 秦海鸿 袁源 谢昊天 钟志远
• 来源期刊: 电工电能新技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 桥臂电路 串扰抑制 有源密勒箝位
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 论文报告
• 页码范围: 8-12,23
• 页数: 6页
• 分类号: TN713.4
• 字数: 4060字
• 语种: 中文

摘要

与硅MOSFET相比,碳化硅MOSFET更加有利于满足变换器高效率、高功率密度和高可靠性的发展要求.然而在桥臂电路中,上下管之间的串扰问题严重限制了碳化硅MOSFET性能优势的发挥.本文在分析了串扰问题产生机理的基础上,采用了一种改进的基于PNP三极管的有源密勒箝位方法,对串扰进行了有效抑制,并搭建了双脉冲测试平台进行实验验证.实验结果表明,改进的方法能够获得较好的串扰抑制效果,对碳化硅MOSFET的驱动电路设计具有一定指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦海鸿		99	729	14.0	23.0
2	朱梓悦		10	87	5.0	9.0
3	钟志远		2	32	2.0	2.0
4	袁源		4	47	2.0	4.0
5	谢昊天		4	42	4.0	4.0