RF偏置功率对磁控溅射AlN薄膜性能的影响

• 作者: 李明月 霍彩红 韩东
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化铝薄膜 反应磁控溅射 择优取向 射频(RF)偏置功率 表面形貌
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 261-265
• 分类号: TN305.92
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.04.011

摘要

采用射频(RF)反应磁控溅射法,以氩气和氮气为反应气体,在不同的RF偏置功率下,在Si (100)和Si (111)衬底上制备了具有六方纤锌矿结构的AlN薄膜.使用扫描电子显微镜(SEM)表征了薄膜的截面形貌和厚度;利用原子力显微镜(AFM)和X射线衍射仪(XRD)研究了RF偏置功率对Si (111)和Si (100)衬底上沉积的AlN薄膜微观结构和表面粗糙度的影响.结果表明,在RF偏置功率为5～15 W时,两种衬底均可生长(002)择优取向AlN薄膜.RF偏置功率为20 W时,AlN薄膜(002)择优取向变弱,薄膜质量变差.当RF偏置功率为10 W时,Si(111)和Si(100)两种衬底沉积的AlN薄膜的半高宽(FWHM)值和表面均方根粗糙度均最小,其表面均方根粗糙度的最小值分别为2.427和2.836 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩东	中国电子科技集团公司第十三研究所	17	65	5.0	7.0
2	霍彩红	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	2	1.0	1.0
3	李明月	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	46	2.0	6.0