TSV立体集成用Cu/Sn键合工艺

• 作者: 单光宝 张巍 杜欣荣
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Cu/Sn体系 低温键合 等温凝固扩散 硅通孔(TSV) 三维集成
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 266-270
• 分类号: TN305.93
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.04.012

摘要

为实现硅通孔(TSV)立体集成多层芯片可靠堆叠,对一种具备低温键合且不可逆特点的Cu/Sn等温凝固键合技术进行了研究.基于Cu/Sn系二元合金平衡相图,分析了金属层间低温扩散反应机理,设计了微凸点键合结构并开展了键合工艺实验.通过优化键合工艺参数,获取了性能稳定的金属间化合物(IMC)层,且剪切力键合强度值达到了国家标准,具备良好的热、机械特性.将其应用到多芯片逐层键合工艺实验当中,成功获取了4层堆叠样品,验证了Cu/Sn等温凝固键合技术在TSV立体集成中的应用潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	单光宝		14	37	3.0	6.0
2	张巍		1	0	0.0	0.0
3	杜欣荣		1	0	0.0	0.0