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摘要:
分析研究了半导体技术摩尔定律的过去、现在和未来,重点分析了摩尔定律的产生、发展以及在基础物理、光刻、制造成本及功耗等方面的困难和挑战.同时讨论了"超越摩尔定律"的发展方向、适应领域范围,以及摩尔定律在未来的可能实现方式.
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文献信息
篇名 摩尔定律的过去、现在和未来
来源期刊 电子与封装 学科 工学
关键词 摩尔定律 芯片尺寸极限 超越摩尔定律 beyond CMOS
年,卷(期) 2015,(10) 所属期刊栏目 微电子制造与可靠性
研究方向 页码范围 30-34
页数 5页 分类号 TN303
字数 5145字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 缪小勇 11 43 4.0 6.0
2 戴锦文 3 25 2.0 3.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
摩尔定律
芯片尺寸极限
超越摩尔定律
beyond CMOS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子与封装
月刊
1681-1070
32-1709/TN
大16开
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
2002
chi
出版文献量(篇)
3006
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24
总被引数(次)
9543
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