国外GaN功率器件衬底材料和外延技术研发现状

• 作者: 付兴中 付兴昌 崔玉兴 赵金霞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 碳化硅 硅 金刚石 衬底材料 异质集成
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 881-888,959
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.12.001

摘要

GaN基功率器件的衬底和外延技术的发展对于器件性能的提升和成本的降低起着非常重要的作用.介绍了国外SiC基、Si基以及新型金刚石基GaN功率器件衬底材料和GaN外延技术的研发现状.重点讨论了大尺寸衬底技术(6英寸SiC衬底、8英寸Si衬底)、GaN HEMT与Si CMOS器件异质集成技术以及金刚石基GaN HEMT材料集成技术的研发进展.分析了GaN功率器件材料技术的发展趋势,认为更大尺寸更高质量衬底和外延材料制作、外延技术的改进、金刚石等新型衬底材料研发以及GaN基材料与Si材料的异质集成技术等将是未来研究的重点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付兴昌	中国电子科技集团公司第十三研究所	27	68	5.0	7.0
2	赵金霞	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	7	1.0	2.0
3	崔玉兴	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	88	6.0	8.0
4	付兴中	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	10	2.0	3.0