工艺参数对磁控溅射制备TiO2薄膜结晶性的影响

• 作者: 丁龙先 张帅拓 张盼盼
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 工艺参数 TiO2 薄膜 结晶性
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 膜层技术 Coating Technology
• 页码范围: 48-52,101
• 页数: 6页
• 分类号: TG174.444|O484.1
• 字数: 2637字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.05.009

摘要

目的：探究TiO2薄膜结晶性与工艺参数之间的规律。方法采用直流反应磁控溅射法,改变工艺条件(样品位置、溅射功率、氧气分压、是否开转架、沉积温度以及是否退火),在普通载玻片基底上制备TiO2薄膜,并利用XRD和SEM对不同工艺参数下获得的TiO2薄膜进行分析。结果在靶基距固定的情况下,仅改变样品悬挂的上下位置时,薄膜的结晶性差别不大。随着溅射功率在一定范围内增大,薄膜的结晶性越来越好(趋于锐钛矿晶型)。与氧气分压为5%时相比,10%时的薄膜结晶性更优；与开转架时相比,不开转架时薄膜的结晶性更优。沉积温度在300,350℃两者之间变化时,对薄膜的结晶性影响不大。退火后薄膜的结晶性优于未退火薄膜。结论样品位置、沉积温度对于TiO2薄膜的结晶性影响不大；氧气分压、是否开转架对TiO2薄膜的结晶性有一定影响；溅射功率、退火与否对TiO2薄膜的结晶性影响较大,并且退火后出现金红石相。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张盼盼		2	15	2.0	2.0
2	丁龙先		12	37	4.0	5.0
3	张帅拓		2	15	2.0	2.0