0.13 μm CMOS工艺抗辐射触发器优化设计

• 作者: 周昕杰 李晓蓉
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 辐射效应 抗辐射设计 触发器
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 26-29
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 1841字
• 语种: 中文

摘要

随着体硅CMOS工艺尺寸不断减小、集成度不断提高,电路受到单粒子辐射效应的影响会变得越来越严重.在大尺寸工艺条件下常用的DICE结构触发器结构,在受到单粒子效应影响后,会产生一定脉宽的扰动并传输至下一级,对整个电路的可靠性产生影响.为消除上述影响,采用了C单元结构对触发器的输出端口进行优化设计,将原有的一个结点输出结构优化为利用两个互补的存储结点作为C单元结构的输入.利用仿真手段对优化后的结构进行验证,证明了优化后的结构有很好的抗扰动能力,同时通过优化版图设计,提升触发器结构的抗辐射能力.经过此次对触发器的优化设计,为今后超深亚微米抗辐射电路的设计提供了借鉴.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周昕杰		13	24	3.0	3.0
2	李晓蓉		1	2	1.0	1.0