二维Bi2Se3晶体对罗丹明6G分子的荧光猝灭效应研究

• 作者: 刘忠范 吴金雄 彭海琳
• 来源期刊: 化学学报
• 关键词: 拓扑绝缘体 二维晶体 荧光猝灭 Bi2Se3
• 年，卷（期）: 2015,（9）
• 所属期刊栏目: 研究通讯
• 页码范围: 944-948
• 语种: 中文
• DOI: 10.6023/A15070513

摘要

首次研究了拓扑绝缘体Bi2Se3二维晶体对其表面吸附的罗丹明6G分子的荧光猝灭效应,证明薄层Bi2Se3可以有效猝灭罗丹明6G分子的荧光,且随Bi2Se3二维晶体的厚度从单层增加到8层,荧光猝灭效应增强,并初步探讨了其荧光猝灭机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘忠范	北京大学化学与分子工程学院分子动态与稳态国家重点实验室北京分子科学国家实验室北京大学纳米化学研究中心	109	731	13.0	25.0
2	彭海琳	北京大学化学与分子工程学院分子动态与稳态国家重点实验室北京分子科学国家实验室北京大学纳米化学研究中心	6	13	1.0	3.0
3	吴金雄	北京大学化学与分子工程学院分子动态与稳态国家重点实验室北京分子科学国家实验室北京大学纳米化学研究中心	1	0	0.0	0.0