侧壁粗化提高GaN基发光二极管出光效率的研究

• 作者: 刘宝林 刘维翠 张玲 曾凡明 朱丽虹 李晓莹 邓彪
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 发光二极管 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀 侧壁粗化 出光效率
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 384-389
• 页数: 6页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 3105字
• 语种: 中文
• DOI: 10.6043/j.issn.0438-0479.2015.03.017

摘要

采用工艺成熟且成本低廉的芯片技术实现侧壁粗化以提高GaN基发光二极管(LED)的出光效率是备受关注的研究课题.通过普通光刻技术和感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术在器件内部引入侧壁粗化结构,有效提高了LED芯片的出光效率.由于侧壁几何微元结构的改变,光线到达该界面位置处的全反射作用得到抑制而使芯片的出光总量增加.结果表明,注入电流为350 mA时,具有三角状侧壁粗化结构的LED芯片比传统LED芯片的输出光功率增加20.6％,出光效率提升20.5％,并且侧壁粗化后不会影响LED芯片的电学性能和发光稳定性.光强空间分布特性显示,发光强度的增加主要位于-35°～-20°和+20°～+35°的斜角范围内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宝林	厦门大学物理与机电工程学院	30	167	9.0	11.0
2	朱丽虹	厦门大学物理与机电工程学院	8	26	3.0	5.0
3	李晓莹	厦门大学物理与机电工程学院	4	10	1.0	3.0
4	张玲	厦门大学物理与机电工程学院	31	114	7.0	9.0
5	邓彪		2	1	1.0	1.0
6	刘维翠	厦门大学物理与机电工程学院	1	0	0.0	0.0
7	曾凡明	厦门大学物理与机电工程学院	3	3	1.0	1.0