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摘要:
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耗尽区调制对氢化MILC Poly-Si TFT热产生漏电的影响
金属诱导横向结晶
多晶硅薄膜晶体管
热载流子应力
热产生漏电
耗尽区调制效应
P-Si TFTs带间隧穿电流的建模研究
多晶硅薄膜晶体管
带间隧穿
建模
Poly-Si TFT有源驱动OLED单元像素电路的参数设计
多晶硅
薄膜晶体管
有机电致发光
有源驱动
仿真模拟
玻璃衬底上MIUC Poly-Si TFT显示驱动电路
金属诱导单一方向横向晶化
多晶硅薄膜晶体管
显示驱动电路
全集成显示
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Self-aligned offset gate poly-Si TFTs using photoresist trimming technology
来源期刊 中国科学 学科 工学
关键词 多晶硅TFT 修整技术 自对准 光致抗蚀剂 偏置 薄膜晶体管 各向同性 截止电流
年,卷(期) zgkx_2015,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 124-129
页数 6页 分类号 TN873.93
字数 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
多晶硅TFT
修整技术
自对准
光致抗蚀剂
偏置
薄膜晶体管
各向同性
截止电流
研究起点
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期刊影响力
中国科学
月刊
CN 11-1789/N
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3119
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