砷化镓六位串并行驱动器芯片的研制

• 作者: 赵子润 陈凤霞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 开关驱动器 微波单片集成电路 增强型
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体集成电路
• 页码范围: 894-898
• 分类号: TN43
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.12.003

摘要

基于0.25μm砷化镓(GaAs)增强、耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/DPHEMT)工艺,设计并实现了一种串并行驱动器芯片,该芯片应用直接耦合场效应晶体管逻辑结构(DCFL),实现了移位寄存器、锁存器、输出缓冲等数字逻辑电路单片集成.芯片可输入六位串行或并行数据,输出六对互补电平以控制开关、衰减器等砷化镓微波单片集成电路(MMIC).测试结果表明,在5V工作电压下芯片的静态电流为7.6mA,并行输出高电平4.8V,低电平0.1V,传输延迟时间125 ns.驱动器芯片尺寸为2.5 mm×1.45 mm.该电路具有响应速度快、易与砷化镓MMIC集成等特点,可广泛应用于各类多功能电路、组件及模块中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵子润	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	7	1.0	2.0
2	陈凤霞	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	16	2.0	3.0