标准数字 CMOS 工艺正交压控振荡器设计?

• 作者: 冯勇 潘达杉 闵昊 黄金明
• 来源期刊: 湖南大学学报（自然科学版）
• 关键词: QVCO phase noise CMOS 工艺
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 所属期刊栏目: 【电气与信息工程】
• 页码范围: 94-99
• 页数: 6页
• 分类号: TP302
• 语种: 中文

摘要

正交压控振荡器是高速链路中的一个关键部件.片上集成高质量品质的电感电容等无源器件是影响压控振荡器性能的关键因素.为了兼容传统的数字工艺,采用超深亚微米的数字 CMOS 工艺进行片上电感电容的集成,并基于此无源器件实现了基于电容耦合的正交压控振荡器,实现中心频率16.12 GHz,频率调节范围为10%,1M 频偏处的相位噪声为-112 dBc,相位误差小于0.39°.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄金明		2	5	1.0	2.0
2	冯勇		1	1	1.0	1.0