大功率 SiC MOSFET 驱动电路设计

• 作者: 彭咏龙 李亚斌 李荣荣
• 来源期刊: 电测与仪表
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MOSFET 开关特性 驱动电路 双脉冲实验
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 页码范围: 74-78
• 页数: 5页
• 分类号: TM13
• 字数: 3432字
• 语种: 中文

摘要

在实际工程应用的基础上，针对50kW／1MHz的高频感应加热大功率SiC MOSFET电路要求及SiC MOS-FET开关特性进行开发研究。通过对SiC MOSFET的开通过程特性进行详细研究，得出使其可靠、安全驱动的要求，在现有已经成熟应用的Si MOSFET驱动电路基础上对其进行改进，研究适合工作在兆赫范围内的SiC MOSFET驱动电路。并采用双脉冲实验验证所设计驱动电路的基本特性及确定最佳门极电阻参数。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭咏龙	华北电力大学电气与电子工程学院	85	846	17.0	25.0
2	李亚斌	华北电力大学电气与电子工程学院	64	580	13.0	21.0
3	李荣荣	华北电力大学电气与电子工程学院	5	63	4.0	5.0