磁控反应溅射AlN缓冲层对GaN基LED器件性能的影响

• 作者: 农明涛 卢国军 周佐华 张宇 林传强 梁智勇 苗振林 蔡炳杰
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直流磁控反应溅射 氮化铝缓冲层 氮化镓基发光二极管 金属有机化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 1452-1457
• 页数: 6页
• 分类号: TN303|TN304
• 字数: 2512字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20153612.1452

摘要

以直流磁控反应溅射法（ RMS）在图形化蓝宝石衬底上制备的AlN薄膜作为缓冲层,采用金属有机化学气相沉积法（ MOCVD）外延生长了GaN基LED。与MOCVD生长的低温GaN缓冲层相比,RMS制备的AlN缓冲层具有表面更平整、颗粒更小的形核岛,有利于促进GaN外延的横向生长,减少了形核岛合并时的界面数量和高度差异,降低了缺陷和位错产生的几率。研究结果表明,溅射AlN缓冲层取代传统低温GaN缓冲层后,外延生长的GaN材料具有更高的晶体质量,LED器件在亮度、漏电和抗静电能力等光电特性上均有明显提升。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周佐华		2	4	1.0	2.0
2	苗振林		8	4	1.0	1.0
3	农明涛		1	1	1.0	1.0
4	梁智勇		2	1	1.0	1.0
5	蔡炳杰		1	1	1.0	1.0
6	卢国军		2	1	1.0	1.0
7	林传强		1	1	1.0	1.0