一种改进的增强型GaN HEMT大信号模型

• 作者: 刘军 李文钧 陆海燕 陈秋芬 韩春林
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 增强型GaN HEMT 大信号模型 沟道电流模型 栅电荷模型 Verilog-A语言
• 年，卷（期）: 2015,（12）
• 所属期刊栏目: 半导体器件
• 页码范围: 904-910
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.12.005

摘要

提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型.模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则.提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性.根据GaN HEMT器件特有的物理结构和电学特性,器件的自热效应、电流崩塌效应以及跨导频率分布效应在模型中进行了考虑.模型采用Verilog-A语言进行描述,并编译、链接入Agilent ADS工具.验证结果表明,模型仿真和测试数据在宽的偏压和频率范围内得到很好地吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李文钧	杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室	20	61	5.0	6.0
2	刘军	杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室	30	47	4.0	6.0
3	韩春林	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室	3	15	3.0	3.0
4	陆海燕	南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室	4	4	1.0	2.0
5	陈秋芬	杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室	1	4	1.0	1.0