提高含硅纳米晶LED亮度的方法研究

• 作者: 张羽 陈家荣
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 硅纳米晶 电致表面等离子体场效应 界面效应
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 43-46
• 分类号: TB79
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2015.05.09

摘要

阻碍硅纳米晶LED器件在光电集成电路中的广泛应用的关键问题在于硅纳米晶电致发光强度较低.本文主要采用真空反应蒸发法和高温相分离方法来制备硅纳米晶样品,然后研究改变Si-nc浓度、改变衬底材料的电阻率、降低Si-nc与不同基体(SiO2、Si3N4)之间的界面势垒、场效应、电致表面等离子体等方法对硅纳米晶电致发光强度的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈家荣	贵州民族大学信息工程学院	14	17	1.0	3.0
2	张羽	贵州民族大学信息工程学院	2	1	1.0	1.0