总剂量辐射对0.5μm部分耗尽SOI CMOS器件的影响

• 作者: 吴建伟 洪根深 罗静 谢儒彬 陈海波
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 注氧隔离 绝缘体上硅 辐射加固 总剂量
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 41-45
• 页数: 5页
• 分类号: TN306
• 字数: 3140字
• 语种: 中文

摘要

介绍了基于SIMOX SOI晶圆的0.5μm PD SOI CMOS器件的抗总剂量辐射性能。通过CMOS晶体管的阈值电压漂移，泄漏电流和32位DSP电路静态电流随总剂量辐射从0增加到500 krad（Si）的变化来表现该工艺技术的抗电离总剂量辐射能力。对于H型（无场区边缘）NMOS晶体管，前栅阈值电压漂移小于0.1 V；对于H型PMOS晶体管，前栅阈值电压漂移小于0.15 V；未发现由辐射引起的显著漏电。32位DSP电路在500 krad（Si）范围内，静态电流小于1 mA。通过实验数据表明，在较高剂量辐射条件下，利用该工艺制造的ASIC电路拥有良好的抗总剂量辐射性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗静		12	35	3.0	5.0
2	洪根深		33	74	5.0	6.0
3	陈海波		6	13	3.0	3.0
4	吴建伟		25	39	4.0	4.0
5	谢儒彬		9	22	3.0	4.0