MOSFET 与 IGBT 驱动电路的研究与设计

• 作者: 唐勇奇 林轩 胡涛 陈丽娟 黄林森
• 来源期刊: 新型工业化
• 关键词: 隔离 DC/DC IGBT MOSFET 隔离驱动电路
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 设计与研究
• 页码范围: 11-19
• 页数: 9页
• 字数: 5067字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-6649.2015.03.02

摘要

目前在桥式电路中上桥臂的驱动电路常采用自举驱动，由于各桥臂使用的是同一组电源因此相互之间存在着干扰，当参数选取不够合理时还会出现较高的电压尖峰损坏驱动芯片和开关管，在对驱动电路要求严格的场合通常需要为每个桥臂提供独立电源。目前市场上隔离 DC/DC 的产品较多，但专门为隔离驱动而设计的隔离 DC/DC 产品还比较少。通过对功率 MOSFET 和 IGBT 开通特性和关断特性的研究，得出了功率 MOSFET 和 IGBT 对驱动电路的要求。设计了一种带隔离 DC/DC，适用于功率 MOSFET和 IGBT 隔离驱动电路。并通过实验测试了该驱动电路的性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐勇奇	湖南工程学院电气信息学院	83	625	13.0	22.0
2	黄林森	湖南工业大学电气与信息学院	5	28	2.0	5.0
3	林轩	湖南工程学院电气信息学院	6	34	3.0	5.0
4	陈丽娟	湖南工程学院电气信息学院	5	28	2.0	5.0
5	胡涛	湖南工业大学电气与信息学院	1	22	1.0	1.0