ZnO对BaSm2Ti4O12陶瓷性能的影响

• 作者: 于轩 秦旺洋 谢广超 贾路方 陈波
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: BaSm2Ti4O12 ZnO 烧结机制 介电性能
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 36-40
• 页数: 5页
• 分类号: TN305|TB34
• 字数: 3267字
• 语种: 中文

摘要

讨论了ZnO对BaSm2Ti4O12介质陶瓷烧结机制和微波介电性能的影响。结果表明：ZnO添加能推动BaSm2Ti4O12微波介质陶瓷的烧结，可至少将其烧结温度降低至1280℃。当添加过多的ZnO时，Zn2+会进入晶格，可能导致晶格畸变，由此造成颗粒间产生微小孔隙及晶格内形成许多缺陷，降低了材料的εr和Q×f值。含0.5 wt% ZnO的BaSm2Ti4O12试样在1280℃烧结时，综合介电性能最好：εr=76.46，Q×f=6334 GHz。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢广超		9	48	4.0	6.0
2	于轩		2	2	1.0	1.0
3	秦旺洋		2	2	1.0	1.0
4	贾路方		4	5	2.0	2.0
5	陈波		2	1	1.0	1.0