非对称面电极硅基锗金属-半导体-金属光电探测器的设计

• 作者: 叶辉 张诗雨 方旭 洪霞
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 非对称面电极 锗探测器 暗电流
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: ?光电器件与系统?
• 页码范围: 84-88
• 页数: 5页
• 分类号: O472|TH74
• 字数: 3296字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2015.01.014

摘要

针对金属-半导体-金属(MSM)光电探测器暗电流抑制的机理，本文提出了一种具有非对称面电极结构的硅基锗MSM光电探测器的设计方法，利用ATLAS仿真软件分析了电极结构参数对暗电流的影响，并通过实验得出样品器件的暗电流降低至微安量级。实验结果表明，采用非对称面电极结构设计可以有效抑制硅基锗MSM光电探测器的暗电流，提高器件性能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶辉	浙江大学光电信息工程学系	50	406	9.0	18.0
2	方旭	浙江大学光电信息工程学系	6	56	4.0	6.0
3	洪霞	浙江大学光电信息工程学系	5	12	2.0	3.0
4	张诗雨	浙江大学光电信息工程学系	2	1	1.0	1.0