飞思卡尔推出突破性的超宽带RF功率GaN晶体管

• 作者: 江安庆
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 超宽带 RF功率GaN 塑料封装 最佳性能 氮化镓 副总裁 连续波 冷却系统 无线电通信设备 同类竞争
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（3）
• 页码范围: 13-13
• 页数: 1页
• 分类号: TN323.4

摘要

【正】飞思卡尔半导体日前推出两款采用全新先进塑料封装的超宽带RF功率氮化镓(GaN)晶体管。借助这些新型封装和产品,飞思卡尔正在释放GaN性能的真正潜力,并在提供业界最佳性能的GaN器件方面,已经取得了重大突破。飞思卡尔高级副总裁兼射频业务部总经理Paul Hart表示:"借助这两款业界领先带宽的产品,我们的客户采用一个射频器件替换两个甚至三个独立的RF PA器件,大大降低了系统成本。此外,这些器件具有超低的热阻,可使客户降低冷却系统的成本,而且它们能够以全连续波(CW)额定功率运行,满足更高温度的应用情况。"