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【正】飞思卡尔半导体日前推出两款采用全新先进塑料封装的超宽带RF功率氮化镓(GaN)晶体管。借助这些新型封装和产品,飞思卡尔正在释放GaN性能的真正潜力,并在提供业界最佳性能的GaN器件方面,已经取得了重大突破。飞思卡尔高级副总裁兼射频业务部总经理Paul Hart表示:"借助这两款业界领先带宽的产品,我们的客户采用一个射频器件替换两个甚至三个独立的RF PA器件,大大降低了系统成本。此外,这些器件具有超低的热阻,可使客户降低冷却系统的成本,而且它们能够以全连续波(CW)额定功率运行,满足更高温度的应用情况。"
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文献信息
篇名 飞思卡尔推出突破性的超宽带RF功率GaN晶体管
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 超宽带 RF功率GaN 塑料封装 最佳性能 氮化镓 副总裁 连续波 冷却系统 无线电通信设备 同类竞争
年,卷(期) bdtxx_2015,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 13-13
页数 1页 分类号 TN323.4
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研究主题发展历程
节点文献
超宽带
RF功率GaN
塑料封装
最佳性能
氮化镓
副总裁
连续波
冷却系统
无线电通信设备
同类竞争
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
5953
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