自旋转移力矩磁隧道结的建模与仿真

• 作者: 曾剑铭 沈海斌
• 来源期刊: 电子技术
• 关键词: 自旋转移力矩磁隧道结 非易失性存储 Verilog-A 建模
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 电子技术研发
• 页码范围: 1-4,12
• 页数: 5页
• 字数: 2056字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2015.03.001

摘要

自旋转移力矩磁隧道结(STT-MTJ)是一种新兴的非易失性存储单元.因为有着掉电后数据不丢失、无限的写次数、与CMOS工艺兼容、不会增加器件面积以及良好的可缩放性等诸如多优点而得到了广泛的研究.但是由于目前的工艺厂商尚未推出相应的模型,研究者难以先期使用该技术进行电路设计.文章介绍了STT-MTJ的工作原理,详细研究了使用Verilog-A对STT-MTJ建模的思路,并在HSPICE中进行了仿真验证,为后续的STT-MTJ研究奠定了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈海斌	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	139	832	13.0	21.0
2	曾剑铭	浙江大学超大规模集成电路设计研究所	3	13	1.0	3.0