过渡金属掺杂MgH2的结构和磁性的第一性原理研究

• 作者: 王硕 赵辉
• 来源期刊: 天津师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 化学
• 关键词: 第一性原理 过渡金属掺杂 氢化镁(MgH2) 稀磁半导体 铁磁性能
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 页码范围: 32-36
• 页数: 5页
• 分类号: O641|O649
• 字数: 2098字
• 语种: 中文

摘要

为研究过渡金属掺杂对氢化物铁磁性的影响,采用密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,以MgH2为基本材料,以过渡金属(V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni)元素替代2×1×2超晶胞中的Mg原子建立掺杂模型Mg1-xMxH2(M=V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni),并计算模型自旋极化的磁性、能带结构和态密度等性质.结果表明:与MgH2中的Mg-H键相比,过渡金属M(M=V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni)-H间的相互作用明显增强,造成Mg-H间强烈的离子键和部分共价键的相互作用随着过渡金属的掺杂而被削弱.掺杂体系中,V和Cr是受主杂质,而Mn、Co和Ni体系中,自旋极化率相对较低,且穿过费米能级的子带的斜率较低.研究表明过渡金属(V、Cr、Mn、Co和Ni)掺杂的MgH2体系虽然可以导电,但电导率较小,具有比较稳定的半金属性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵辉	天津师范大学物理与材料科学学院	33	45	5.0	5.0
2	王硕	天津师范大学物理与材料科学学院	2	13	1.0	2.0