住友电工涉足SiC功率元件业务

• 作者: 郑畅
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 功率元件 SIC 综合研究所 日本产业 电气工业 元件表 挖沟 左右将 低导通电阻 阈值电压
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 14-14
• 页数: 1页
• 分类号: TN386

摘要

【正】住友电气工业将涉足SiC功率元件业务。该公司将利用通过日本产业技术综合研究所的"Tsukuba Power-Electronics Constellations(TPEC)"试产线确立的量产制造技术开展业务。业务开始的具体时间未定,不过该公司预计SiC功率元件市场到2020年左右将形成规模,所以"将在此之前启动业务"。住友电工此前已试制出SiC功率元件和功率模块等,并在学会及展会等场合进行了展示,但当时没有明确是否开展商业化运作。住友电工的SiC功率元件的特点是在栅极部分挖V字型沟道的MOSFET。在栅极部分挖沟的普通沟道型MOSFET,沟道侧面与元件表面垂直,而