SOI温度补偿效应的全集成高线性度Gm-C滤波器设计

• 作者: 孙书龙 林敏
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: Gm-C滤波器 阈值漂移 衬底偏置 温度补偿
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 779-784
• 页数: 6页
• 分类号: TN4
• 字数: 3271字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2015.04.013

摘要

为了补偿温度变化对滤波器频率响应造成的漂移,提出了一种全差分运算放大器,该运算放大器采用电压负反馈方式稳定输出共模电平,调节输入对差分管衬底偏置来改变阈值电压差,从而调节放大器的跨导来调整滤波器的截止频率,实现了基于Gm-C结构的三阶Chebyshev低通滤波器,滤波器采用GSMC的0.13μm SOI工艺,电源电压1.2 V,6层金属设计,仿真结果表明,该滤波器通带增益0 dB,-1 dB截止频率8 MHz,38 MHz 处增益衰减达到-35 dB,带内波动0.5 dB,输入为1 MHz,400 mV Vpp时,THD为-57 dB,功耗7 mW.在特殊环境具有明显的优势。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙书龙	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	3	5	1.0	2.0
2	林敏	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	12	15	2.0	3.0