基于相变存储器的存储技术研究综述

• 作者: 冒伟 冯丹 刘景宁 周文 张双武 李铮 童薇
• 来源期刊: 计算机学报
• 学科: 工学
• 关键词: 相变存储器 非易失存储器 存储技术 计算机体系结构
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 计算机系统机构
• 页码范围: 944-960
• 页数: 17页
• 分类号: TP303|TP333
• 字数: 20114字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1016.2015.00944

摘要

以数据为中心的大数据技术给计算机存储系统带来了机遇和挑战.传统的基于动态随机存储器(DRAM)器件的内存面临工艺尺寸缩小至2X nm及以下所带来的系统稳定性、数据可靠性等问题;相变存储器(PCM)具有非易失性、存储密度高、功耗低、抗辐射干扰等优点,且读写性能接近DRAM,是未来最有可能取代DRAM的非易失存储器,它为存储系统的研究和设计提供了新的解决方案.文中在归纳相变存储器器件发展和研究现状的基础上,对相变存储器在系统级的应用方式和面临的问题进行了比较和分析,研究了基于相变存储器的内存技术和外存技术,分析了当前在PCM的寿命、写性能、延迟、功耗等方面所提出的解决方案,指出了现有方案的优势和面临的缺陷,并探讨了未来的研究方向,为该领域在今后的发展提供了一定的参考.