铜铟铝硒薄膜离子束溅射制备与表征

• 作者: 梁广兴 范平 邱云明 陈超铭
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜太阳电池 铜铟铝硒 离子束溅射
• 年，卷（期）: 2015,（7）
• 所属期刊栏目: 太阳能利用技术
• 页码范围: 872-877
• 分类号: O53|TP34
• 语种: 中文
• DOI: 10.13922/j.cnki.cjovst.2015.07.15

摘要

采用离子束溅射方法,在玻璃衬底上沉积Cu,In,Al和Se,在同一真空环境下进行退火处理,制备得到铜铟铝硒(CIAs)太阳电池吸收层薄膜.利用扫描电镜、X射线衍射仪、能谱仪、四探针系统、分光光度计分别对薄膜的表面形貌、物相结构、晶粒尺寸、元素含量、电阻率和禁带宽度等特性进行分析.结果表明:通过控制铜铟、Cu、Al、Se各靶材的镀膜时间,实现在CuInSe2薄膜上掺杂Al元素,制备的CIAS薄膜呈现黄铜矿结构.薄膜(112)衍射峰峰位,表面电阻率和禁带宽度随着铝含量的增加而增加,调节Al元素的含量可以使薄膜表面均匀.当Al的原子分数比X(Al)=14.47％时,(112)衍射峰最强,半高宽最小,结晶最好.当X(Al)=11.8％,N(Al)/(N(In)+ N(Al))=0.37,禁带宽度为2.12 eV,薄膜表面形貌最均匀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范平	深圳大学物理科学与技术学院	14	136	8.0	11.0
2	邱云明	深圳大学物理科学与技术学院	4	8	2.0	2.0
3	梁广兴	深圳大学物理科学与技术学院	4	31	2.0	4.0
4	陈超铭	深圳大学物理科学与技术学院	1	2	1.0	1.0