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摘要:
报道了一种基于双层多晶硅材料的MEMS热电偶真空度传感器.该器件采用双层热偶排布方式可进一步减小器件横向尺寸,同时采用XeF2各向同性正面刻蚀技术释放形成微腔结构,该技术避免了湿法腐蚀工艺复杂、不易控制等缺陷.在器件制备的基础上,对该器件在不同真空度条件下的响应特性进行了测试,测试结果表明该器件在常温下的真空响应上限达105 Pa.而不同加热功率条件下,该器件的响应灵敏度随着加热功率的增大呈增大趋势.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 宽响应范围的MEMS热电偶真空度传感器
来源期刊 微纳电子技术 学科 工学
关键词 热电偶 真空度 双层多晶硅 微电子机械系统(MEMS) 灵敏度
年,卷(期) 2015,(12) 所属期刊栏目 MEMS与传感器
研究方向 页码范围 765-769,810
页数 分类号 TP212|TH703
字数 语种 中文
DOI 10.13250/j.cnki.wndz.2015.12.004
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研究主题发展历程
节点文献
热电偶
真空度
双层多晶硅
微电子机械系统(MEMS)
灵敏度
研究起点
研究来源
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相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
月刊
1671-4776
13-1314/TN
大16开
石家庄市179信箱46分箱
18-60
1964
chi
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