表面处理对液晶显示阵列基板中黑矩阵残留的影响

• 作者: 刘震 张锋 舒适 齐永莲
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 物理学
• 关键词: 等离子体处理 亲水性 接触角 黑矩阵
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 材料物理和化学
• 页码范围: 915-919
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.1
• 字数: 1606字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20153006.0915

摘要

主要分析了黑矩阵残留程度与 SiNx、SiON、SiOx 等基底表面亲水特性的关系,研究了等离子体处理对基底表面亲水特性以及黑矩阵残留的影响。首先,通过原子力显微镜和扫描电子显微镜对黑矩阵在不同基底表面的残留颗粒大小、表面粗糙度进行了测试。然后,使用接触角测试仪对不同基底表面的亲水特性进行了表征,分析了表面亲水特性和黑矩阵残留程度的关系。最后,研究了等离子体处理条件对基底表面亲水特性的影响,提出了采用 O2/He 等离子体对基底表面进行改性来解决黑矩阵的残留问题。实验结果表明：基底表面的水接触角越小、亲水性越强,黑矩阵在基底表面的残留越少；O2/He 等离子体表面处理使基底表面的水接触角从17°降低到3°,增强了基底表面的亲水特性,并且黑矩阵工艺之后基底表面的粗糙度从3.06 nm 降低到0.69 nm,消除了黑矩阵的残留。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张锋	京东方科技集团股份有限公司技术研发中心	5	37	2.0	5.0
2	舒适	京东方科技集团股份有限公司技术研发中心	2	2	1.0	1.0
3	齐永莲	京东方科技集团股份有限公司技术研发中心	2	2	1.0	1.0
4	刘震	京东方科技集团股份有限公司技术研发中心	1	0	0.0	0.0