多个硅通孔引起的热应力对迁移率和阻止区的影响?

• 作者: 刘荡 杨银堂 石涛 董刚
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 硅通孔 热应力 迁移率变化 阻止区
• 年，卷（期）: 2015,（17）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 176601-1-176601-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.64.176601

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	董刚	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	36	121	7.0	9.0
3	刘荡	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	3	1.0	1.0
4	石涛	西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0