退火工艺对制备二硼化镁超导薄膜的影响

• 作者: 付尧 张松 王旭 邓朝勇 马军礼
• 来源期刊: 低温与超导
• 关键词: MgB2 化学气相沉积 超导薄膜 退火工艺
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 超导技术
• 页码范围: 43-48
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.16711/j.1001-7100.2015.11.010

摘要

采用了化学气相沉积法(CVD),在低真空环境下制备出MgB2超导薄膜,并探索了退火温度、退火时间、降温速率对MgB2薄膜性能的影响.采用X射线衍射仪、扫描电镜和低温电导率测试系统对样品的晶体结构、表面形貌和超导电性进行了系统分析.研究表明:退火温度在780℃,退火时间为120min,退火后的降温速率控制在16℃/min左右,制备出的MgB2薄膜超导转变温度Tc(onset)为39.5K,超导转变宽度△Tc为2K,表现出最优的超导性能,同时薄膜的成品率显著提高.证明了通过优化后,退火工艺可以显著提高MgB2的超导性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王旭		47	189	7.0	11.0
2	邓朝勇		62	194	9.0	12.0
3	张松		13	7	2.0	2.0
4	付尧		4	4	1.0	2.0
5	马军礼		3	1	1.0	1.0