三输入高性能AND/XOR复合门电路设计

• 作者: 夏银水 梁浩 王伦耀 黄春蕾
• 来源期刊: 浙江大学学报（理学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 与/异或 混合CMOS逻辑 多轨结构 功耗延迟积 晶体管级
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 电子科学
• 页码范围: 310-315
• 页数: 6页
• 分类号: TN4|TN431.2
• 字数: 3527字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3785/j.issn.1008-9497.2015.03.013

摘要

针对现有“与/异或”(AND/XOR)复合门级联设计电路存在功耗大、延时长等不足,提出一种基于晶体管级的三输入AND/XOR复合门电路结构.通过采用多轨结构、缩短传输路径以及混合CMOS逻辑设计方法,克服了原有电路中单一逻辑和单轨结构信号路径长的不足,进而提高了电路性能.在55 nm的CMOS技术工艺和PTM多种工艺下,经过HSPICE模拟和Cadence提取版图的后仿真,显示所设计的电路具有正确的逻辑功能,相较于采用门电路级联而成的AND/XOR电路,本电路在不同负载、频率和PVT组合等情况下的延时、功耗和功耗延迟积(PDP)都得到了明显改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏银水	宁波大学电路与系统研究所	101	345	9.0	13.0
2	王伦耀	宁波大学电路与系统研究所	43	177	7.0	10.0
3	黄春蕾	宁波大学电路与系统研究所	2	19	2.0	2.0
4	梁浩	宁波大学电路与系统研究所	2	19	2.0	2.0