势阱势垒宽度对GaAs/AlGaAs对称DBS RTD NDR特性的影响

• 作者: 余厉阳 余育新 吕伟锋 孟晓 宁祥 张海鹏 李阜骄 林弥 王利丹 王彬
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧穿二极管 GaAs/AlGaAs 对称双势垒 势阱宽度 势垒宽度 负阻特性
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 38-43
• 页数: 6页
• 分类号: TN312.2|TN313.2
• 字数: 3858字
• 语种: 中文

摘要

目前共振隧穿二极管（RTD）多值逻辑电路研究采用多个MOSFETs组合，以逼近RTD特性，这是现有逻辑功能验证的不足。针对该问题，通过建立对称双势垒RTD电子输运的解析模型，进而采用SILVACO TCAD对GaAs/AlGaAs基对称DBS RTD器件的电学特性进行仿真实验研究。根据仿真实验的结果分析总结了势阱和势垒宽度对GaAs/AlGaAs基对称DBS RTD负阻特性影响的规律，并根据MVL电路设计应用的低压、低功耗、适当峰谷电流比和工艺可实现性等要求，通过大量的仿真优化实验提出采用GaAs/AlGaAs基对称DBS RTD实现多值逻辑电路设计所需的对称DBS RTD器件设计参数窗口。