InP基脊波导单模偏振特性及耦合特性研究

• 作者: 刘俊 唐军 张天恩
• 来源期刊: 中北大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: InP/InGaAsP脊波导 单模条件 偏振特性 耦合长度 光电子器件
• 年，卷（期）: 2015,（z1）
• 所属期刊栏目: 电子与电子信息
• 页码范围: 143-148
• 页数: 6页
• 分类号: TN815
• 字数: 2867字
• 语种: 中文

摘要

以InP/InGaAsP脊形波导结构为研究对象,采用有限元算法(FEM),系统地仿真分析了在固定芯层厚度的情况下不同脊高和脊宽条件下脊形波导的单模偏振特性和双脊型波导之间的耦合特性.在芯层厚度一定的情况下,脊宽越窄,刻蚀深度越浅,波导的传输模式越接近单模.脊波导模双折射系数在深刻蚀情况下,受到脊宽的影响较大,且其偏振不相关性较差;在浅刻蚀情况下,脊波导受到脊宽和脊高的影响较为微弱,模双折射系数(△n=nTE-nTM)稳定在1.2×10-3.在双脊型波导间距d＞2.5μm时,深刻蚀的双脊形波导耦合器的耦合作用急剧下降,造成耦合长度迅速变大.相关仿真和分析将InP基脊形波导的单模条件、偏振无关条件和耦合长度与具体的波导结构联系起来,解决了其几何参数的精确选取问题,为构筑基于InP/InGaAsP脊波导的光电子器件结构设计提供了一定的理论支持.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘俊	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	181	1162	17.0	24.0
5	唐军	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	64	114	5.0	9.0
9	张天恩	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	4	4	1.0	2.0