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摘要:
单片集成是Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池组件的一种形式,可以降低电流和电阻损失,制备的关键步骤是通过划线实现子电池间的隔离和互联.超短脉冲激光划线能降低死区宽度,提高划线质量.为实现一种新型结构CIGS薄膜太阳电池组件的单片集成,采用1 064 nm波长皮秒激光对PI衬底CIGS薄膜太阳电池划线.通过对不同工艺条件划线沟道深度、结构及成分的研究发现,可以实现选择性移除CIGS薄膜太阳电池材料层,露出PI衬底或钼背电极层,划线沟道底部平整、干净,划线两侧整齐,宽度在100 μm左右.
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文献信息
篇名 柔性CIGS薄膜太阳电池的激光划线研究
来源期刊 电源技术 学科 工学
关键词 CIGS 激光划线 皮秒工艺 选择性移除
年,卷(期) 2015,(8) 所属期刊栏目 研究与设计
研究方向 页码范围 1678-1681
页数 4页 分类号 TM914
字数 5155字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 闫礼 中国电子科技集团公司第十八研究所重点实验室 4 14 3.0 3.0
2 乔在祥 中国电子科技集团公司第十八研究所重点实验室 16 28 3.0 5.0
3 刘洋 中国电子科技集团公司第十八研究所重点实验室 42 50 4.0 5.0
4 冯洋 中国电子科技集团公司第十八研究所重点实验室 2 1 1.0 1.0
5 梅林颖 中国电子科技集团公司第十八研究所重点实验室 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
CIGS
激光划线
皮秒工艺
选择性移除
研究起点
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引文网络交叉学科
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期刊影响力
电源技术
月刊
1002-087X
12-1126/TM
大16开
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6-28
1977
chi
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