MTM反熔丝单元编程特性研究

• 作者: 刘国柱 徐海铭 洪根深 王印权 郑若成
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: MTM反熔丝单元 编程电阻 编程电压 编程次数
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 35-37,48
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 1922字
• 语种: 中文

摘要

主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响，包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下，编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大，编程电流越大，反熔丝编程电阻越小。编程次数的增多可减小编程电阻，但离散性增大。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深		33	74	5.0	6.0
2	郑若成		20	44	4.0	5.0
3	王印权		7	10	2.0	3.0
4	刘国柱		15	32	4.0	4.0
5	徐海铭		11	14	2.0	3.0