GaAs基非掺杂与掺Te的GaSb薄膜的缺陷结构对比分析

• 作者: 邓爱红 郭辛 陈燕
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: GaSb 正电子湮没 X射线衍射 原子力显微镜
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 1293-1296
• 页数: 4页
• 分类号: O474
• 字数: 1993字
• 语种: 中文
• DOI: 103969/j.issn.0490-6756.2015.11.019

摘要

在GaAs单晶衬底上用分子束外延技术,采用相同工艺生长了非掺杂及掺Te的GaSb薄膜.以原子力显微镜、X射线衍射谱和正电子湮没谱技术对比分析了样品的结构及缺陷.研究表明,样品在掺Te后在界面处缺陷减少,外延生长较好.并分析其缺陷的产生机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓爱红	四川大学物理科学与技术学院物理系	26	66	5.0	6.0
2	郭辛	绵阳师范学院物理与电子工程学院	6	20	2.0	4.0
3	陈燕	绵阳师范学院物理与电子工程学院	15	32	3.0	5.0