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摘要:
随着电子器件向着高密度高功率的方向发展,对于基板的散热与布线密度要求越来越高.为了适应这一趋势,研究了厚薄膜混合氮化铝基板技术,该技术结合了氮化铝高热导率、厚膜电路多层布线、薄膜电路精细布线的优势,能够满足未来高密度高功率器件产品需求.
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制备工艺
采用新型多层基板的多芯片组件封装技术
多芯片组件
交调噪声
同时切换噪声
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 厚薄膜混合氮化铝多层基板技术研究
来源期刊 真空电子技术 学科 工学
关键词 厚薄膜混合 氮化铝 高密度 高功率
年,卷(期) 2015,(4) 所属期刊栏目 电子陶瓷和封接工艺专辑
研究方向 页码范围 9-10,20
页数 3页 分类号 TM286
字数 1685字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王子良 中国电子科技集团公司第五十五研究所 10 26 3.0 5.0
2 刘玉根 中国电子科技集团公司第五十五研究所 7 10 2.0 2.0
3 陈寰贝 中国电子科技集团公司第五十五研究所 8 23 2.0 4.0
4 梁秋实 中国电子科技集团公司第五十五研究所 2 2 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
厚薄膜混合
氮化铝
高密度
高功率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
真空电子技术
双月刊
1002-8935
11-2485/TN
大16开
北京749信箱7分箱
1959
chi
出版文献量(篇)
2372
总下载数(次)
7
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8712
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