掺硼金刚石薄膜电极的制备及电化学特性

• 作者: 安卫静 张男男 檀柏梅 王帅 高宝红
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 掺硼金钢石(BDD)薄膜电极 热丝化学气相淀积(HFCVD) 循环伏安法(CV) 丙酮体积分数 电化学窗口
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 378-381
• 分类号: TB383|TN304.18
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.05.012

摘要

通过热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,在钽衬底上制备了p型掺硼金刚石(BDD)薄膜电极.利用原子力显微镜(AFM)分析丙酮体积分数对BDD电极的表面形貌和成膜质量的影响,利用循环伏安法(CV)分析BDD电极在不同种类、不同浓度电解液中的电化学特性.结果表明,当丙酮体积分数为1.5％时,金刚石薄膜表现出优异的附着力,并且BDD电极具有稳定的电化学特性.采用制备的BDD电极,在不同浓度的KCl和KH2PO4电解液中使用,得出电势窗口均在3.4V以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	檀柏梅	河北工业大学微电子研究所	85	534	13.0	18.0
2	高宝红	河北工业大学微电子研究所	29	61	4.0	5.0
3	王帅	河北工业大学微电子研究所	9	10	2.0	3.0
4	张男男	河北工业大学微电子研究所	8	13	2.0	3.0
5	安卫静	河北工业大学微电子研究所	2	9	2.0	2.0