一种900 V超结VDMOSFET器件的设计与仿真

• 作者: 杨永念
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 超结VDMOSFET 导通电阻 击穿电压
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 29-34
• 页数: 6页
• 分类号: TN305
• 字数: 4175字
• 语种: 中文

摘要

功率MOSFET在现代电子工业中已经得到了广泛的运用，然而在高压功率MOSFET器件中，如何平衡功率MOSFET的击穿电压与导通电阻的冲突一直是研究热点。结合超结理论和传统功率VDMOSFET的生产工艺设计了一款高压超结VDMOSFET器件，运用半导体器件仿真软件对器件结构进行优化，得到P柱区和N柱区掺杂浓度和厚度的最优值和工艺参数。仿真结果表明，设计的超结VDMOSFET器件击穿电压和导通电阻分别为946 V和0.83Ω，很好地平衡了功率MOSFET击穿电压与导通电阻的冲突。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨永念	重庆邮电大学光电工程学院	1	0	0.0	0.0