泊松比取值对InGaAs/GaAs异质结组分分析的影响

• 作者: 崔琦 张培凤 张曦 张珂 杨建业 韩颖
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 泊松比 In组分 面间距 临界厚度 完全应变
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备
• 页码范围: 389-393
• 分类号: TN304.07|TN304.26
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.05.014

摘要

通过对InxGa1-xAs泊松比的两级优化,讨论了泊松比取值对InxGa1-xAs/GaAs异质结应变层中组分分析的影响.以PB模型计算的临界厚度为指导,设计了一组实验,采用分子束外延(MBE)技术生长不同In组分、不同应变层厚度的InxGa1-xAs/GaAs异质结样品且进行X射线双晶衍射测试,并依据该结果分析应变层组分.对于影响组分分析的泊松比,通过线性内插法将应变层泊松比优化为组分的函数,并分别采用传统的单一值和优化的泊松比分析应变层的组分:泊松比取单一值1/3时,组分偏差高达0.009 1,取优化的泊松比时,偏差仅0.001 5.研究表明,相对于取单一值和线性内插法优化的泊松比,采用线性内插弹性系数优化的泊松比可以更准确地分析异质结应变层的组分.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	崔琦	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	9	2.0	2.0
2	韩颖	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	34	2.0	5.0
3	杨建业	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	0	0.0	0.0
4	张曦	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	7	2.0	2.0
5	张珂	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	0	0.0	0.0
6	张培凤	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	2	1.0	1.0